January 15, 2025

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高電圧および中電圧パワー半導体におけるリーダーシップをさらに強化し、2030年までに市場機会を13億ドル拡大へ

2025年1月16日(米国2025年1月15日発表) - オンセミ(onsemi、本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq:ON)は、Qorvo社から1億1500万米ドルの現金により、子会社のUnited Silicon Carbideを含むシリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ(SiC JFET)技術事業の買収を完了したことを発表しました。

SiC JFET技術の追加は、オンセミの広範なEliteSiCパワー製品ポートフォリオを補完するもので、AIデータセンター向け電源ユニットのAC-DCステージでの高いエネルギー効率や電力密度に対するニーズへの対応を可能にします。SiC JFETは、電気自動車アプリケーションで、バッテリー切断ユニット内の複数のコンポーネントをSiC JFETをベースとするソリッドステートスイッチに置き換えることにより、効率と安全性の向上に貢献します。産業用エンドマーケットでは、特定のエネルギー貯蔵トポロジーやソリッドステートサーキットブレーカーを実現できます。

オンセミでパワーソリューションズ・グループのグループ・プレジデントを務めるサイモン・キートン(Simon Keeton)は、次のように述べています。「この買収は、AIデータセンター、自動車、産業市場において、当社のお客様が抱える最も差し迫った電力密度と効率の課題解決のために、革新的で市場をリードする技術を提供することで、オンセミのパワー半導体におけるリーダーシップをさらに強化するものです。オンセミは、最も包括的な電力システムソリューションを提供する上での技術リーダーシップを強化するため、イノベーションへの注力と投資を続けていきます」